На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSC027N03SG | BSC027N04LSG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TDSON-8 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <89 Вт | <83 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 6.54 нФVds = 15V | 6.8 нФVds = 20V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | <40 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <100 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <2.7 мОмId, Vgs = 50A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 51 нCVgs = 5V | 85 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |