На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSA223SP | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-75 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <250 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 56 пФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <390 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.2 ОмId, Vgs = 390mA, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ |
Заряд затвору | QG | 620 пCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |