На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BS250FTA | BS250FTC | BS250KL-TR1-E3 | BS250P | BS250PSTOA | BS250PSTOB | BS250PSTZ | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | TO-18-3, TO-92-18RM | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |
Виробник | Виробник | Diodes/Zetex | Diodes/Zetex | Vishay/Siliconix | Diodes/Zetex | Diodes/Zetex | Diodes/Zetex | Diodes/Zetex |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір |
Потужність | P | <330 мВт | <330 мВт | <800 мВт | <700 мВт | <700 мВт | <700 мВт | <700 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 25 пФVds = 10V | 25 пФVds = 10V | (не задано) | 60 пФVds = 10V | 60 пФVds = 10V | 60 пФVds = 10V | 60 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <45 В | <45 В | <60 В | <45 В | <45 В | <45 В | <45 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <90 мА | <90 мА | <270 мА | <230 мА | <230 мА | <230 мА | <230 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V | <14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V | <6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V | <14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V | <14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V | <14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | TrenchFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвору | QG | (не задано) | (не задано) | 3 нCVgs = 15V | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |