BS108

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		BS108/01,126	BS108,126	BS108G	BS108ZL1G
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<1 Вт	<1 Вт	<350 мВт	<350 мВт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	120 пФVds = 25V	120 пФVds = 25V	150 пФVds = 25V	150 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<200 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<300 мА	<300 мА	<250 мА	<250 мА
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<5 ОмId, Vgs = 100mA, 2.8V	<5 ОмId, Vgs = 100mA, 2.8V	<8 ОмId, Vgs = 100mA, 2.8V	<8 ОмId, Vgs = 100mA, 2.8V
FET Feature	FET Feature	Standard	Standard	Logic Level Gate	Logic Level Gate