На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APTM120U10DAG | APTM120U10SAG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SP6 | |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | |
Потужність | P | <3.29 кВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 28.9 нФVds = 25V | |
Постійний струм стоку | IDSS | <116 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <120 мОмId, Vgs = 58A, 10V | |
Заряд затвору | QG | 1.1 мкCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |