На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APTM100DA18T1G | APTM100DA18TG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SP1 Module | SP4 Module |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | |
Потужність | P | <657 Вт | <780 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 14.8 нФVds = 25V | 10.4 нФVds = 25V |
Постійний струм стоку | IDSS | <40 А | <43 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <216 мОмId, Vgs = 33A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 21.5A, 10V |
Заряд затвору | QG | 570 нCVgs = 10V | 372 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |