На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT8M100B | APT8M80K | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247 | TO-220 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <290 Вт | <225 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.885 нФVds = 25V | 1.335 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | (не задано) | <800 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <8 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.8 ОмId, Vgs = 4A, 10V | <1.5 ОмId, Vgs = 4A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | POWER MOS 8™ |
Заряд затвору | QG | 60 нCVgs = 10V | 43 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |