APT8024B2FLLG

APT8024, APT8024B2FLLG, APT8024B2LLG, APT8024B2VFRG, APT8024B2VRG, APT8024JFLL, APT8024JLL, APT8024LFLLG, APT8024LLLG, APT8024LVFRG, APT8024LVRG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		APT8024B2FLLG	APT8024B2LLG	APT8024B2VFRG	APT8024B2VRG	APT8024JFLL	APT8024JLL	APT8024LFLLG	APT8024LLLG	APT8024LVFRG	APT8024LVRG
Корпус мікросхеми	Корпус	T-MAX	T-MAX	T-MAX	T-MAX	SOT-227	SOT-227	TO-264	TO-264	TO-264	TO-264
Виробник	Виробник	Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	На шасі/провід	На шасі/провід	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір
Потужність	P	<565 Вт	<565 Вт	<625 Вт	<625 Вт	<460 Вт	<460 Вт	<565 Вт	<565 Вт	<625 Вт	<625 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	4.67 нФVds = 25V	4.67 нФVds = 25V	7.74 нФVds = 25V	7.74 нФVds = 25V	4.67 нФVds = 25V	4.67 нФVds = 25V	4.67 нФVds = 25V	4.67 нФVds = 25V	7.74 нФVds = 25V	7.74 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<800 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<31 А	<31 А	<33 А	<33 А	<29 А	<29 А	<31 А	<31 А	<33 А	<33 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<260 мОмId, Vgs = 15.5A, 10V	<240 мОмId, Vgs = 15.5A, 10V	<240 мОмId, Vgs = 16.5A, 10V	<240 мОмId, Vgs = 16.5A, 10V	<260 мОмId, Vgs = 14.5A, 10V	<240 мОмId, Vgs = 14.5A, 10V	<260 мОмId, Vgs = 15.5A, 10V	<240 мОмId, Vgs = 15.5A, 10V	<240 мОмId, Vgs = 16.5A, 10V	<240 мОмId, Vgs = 16.5A, 10V
Серія MOSFET	Серія	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS V®	POWER MOS V®
Заряд затвору	Q_G	160 нCVgs = 10V	160 нCVgs = 10V	425 нCVgs = 10V	425 нCVgs = 10V	160 нCVgs = 10V	160 нCVgs = 10V	160 нCVgs = 10V	160 нCVgs = 10V	425 нCVgs = 10V	425 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard