На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT8014JFLL | APT8014JLL | APT8014L2FLLG | APT8014L2LLG | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-227 | SOT-227 | TO-264 | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | На шасі/провід | Крізь отвір | Крізь отвір |
Потужність | P | <595 Вт | <595 Вт | <893 Вт | <893 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 7.238 нФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <800 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <42 А | <42 А | <52 А | <52 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <160 мОмId, Vgs = 21A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 21A, 10V | <160 мОмId, Vgs = 26A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 26A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 7® | |||
Заряд затвору | QG | 285 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||