На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT75M50B2 | APT75M50L | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <1.04 кВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 11.6 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <75 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <75 мОмId, Vgs = 37A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | POWER MOS 8™ |
Заряд затвору | QG | 290 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |