APT6025BFLLG

APT6025, APT6025BFLLG, APT6025BLLG, APT6025BVFRG, APT6025BVRG, APT6025SFLLG, APT6025SLLG, APT6025SVFRG, APT6025SVRG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		APT6025BFLLG	APT6025BLLG	APT6025BVFRG	APT6025BVRG	APT6025SFLLG	APT6025SLLG	APT6025SVFRG	APT6025SVRG
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-247	TO-247	TO-247	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	D³Pak (2 leads + tab)	D³Pak (2 leads + tab)	D³Pak (2 leads + tab)
Виробник	Виробник	Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий
Потужність	P	<325 Вт	<325 Вт	<370 Вт	<370 Вт	<325 Вт	<325 Вт	<370 Вт	<370 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	2.91 нФVds = 25V	2.91 нФVds = 25V	5.16 нФVds = 25V	5.16 нФVds = 25V	2.91 нФVds = 25V	2.91 нФVds = 25V	5.16 нФVds = 25V	5.16 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<600 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<24 А	<24 А	<25 А	<25 А	<24 А	<24 А	<25 А	<25 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<250 мОмId, Vgs = 12A, 10V	<250 мОмId, Vgs = 12A, 10V	<250 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V	<250 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<250 мОмId, Vgs = 12A, 10V	<250 мОмId, Vgs = 12A, 10V	<250 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V	<250 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серія MOSFET	Серія	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS V®	POWER MOS V®
Заряд затвору	Q_G	65 нCVgs = 10V	65 нCVgs = 10V	275 нCVgs = 10V	275 нCVgs = 10V	65 нCVgs = 10V	65 нCVgs = 10V	275 нCVgs = 10V	275 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard