На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT6015B2VFRG | APT6015B2VRG | APT6015JVFR | APT6015JVR | APT6015LVFRG | APT6015LVRG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | T-MAX | SOT-227 | SOT-227 | TO-264 | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | На шасі/провід | На шасі/провід | Крізь отвір | Крізь отвір |
Потужність | P | <520 Вт | <520 Вт | <450 Вт | <450 Вт | <520 Вт | <520 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 9 нФVds = 25V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <38 А | <38 А | <35 А | <35 А | <38 А | <38 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <150 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <150 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <150 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V | <150 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <150 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <150 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS V® | |||||
Заряд затвору | QG | 475 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||