На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT6013B2FLLG | APT6013B2LLG | APT6013JFLL | APT6013JLL | APT6013JVR | APT6013LFLLG | APT6013LLLG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | T-MAX | SOT-227 | SOT-227 | SOT-227 | TO-264 | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | На шасі/провід | На шасі/провід | На шасі/провід | Крізь отвір | Крізь отвір |
Потужність | P | <565 Вт | <565 Вт | <460 Вт | <460 Вт | <500 Вт | <565 Вт | <565 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.63 нФVds = 25V | 5.63 нФVds = 25V | 5.63 нФVds = 25V | 5.63 нФVds = 25V | 10.56 нФVds = 25V | 5.63 нФVds = 25V | 5.63 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <43 А | <43 А | <39 А | <39 А | <40 А | <43 А | <43 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <130 мОмId, Vgs = 21.5A, 10V | <130 мОмId, Vgs = 21.5A, 10V | <130 мОмId, Vgs = 19.5A, 10V | <130 мОмId, Vgs = 19.5A, 10V | <130 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <130 мОмId, Vgs = 21.5A, 10V | <130 мОмId, Vgs = 21.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS V® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® |
Заряд затвору | QG | 130 нCVgs = 10V | 130 нCVgs = 10V | 130 нCVgs = 10V | 130 нCVgs = 10V | 540 нCVgs = 10V | 130 нCVgs = 10V | 130 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||