На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT56M50B2 | APT56M50L | APT56M60B2 | APT56M60L | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | TO-264 | T-MAX | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <780 Вт | <780 Вт | <1.04 кВт | <1.04 кВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 8.8 нФVds = 25V | 8.8 нФVds = 25V | 11.3 нФVds = 25V | 11.3 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | <500 В | <600 В | <600 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <56 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 28A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 28A, 10V | <130 мОмId, Vgs = 28A, 10V | <130 мОмId, Vgs = 28A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | POWER MOS 8™ | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 220 нCVgs = 10V | 220 нCVgs = 10V | 280 нCVgs = 10V | 280 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||