На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT55M50JFLL | APT55M65JFLL | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-227 | |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | |
Потужність | P | <694 Вт | <595 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 12.4 нФVds = 25V | 9.165 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <550 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <77 А | <63 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <50 мОмId, Vgs = 38.5A, 10V | <65 мОмId, Vgs = 31.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 7® | |
Заряд затвору | QG | 265 нCVgs = 10V | 205 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |