На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT53F80J | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-227 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід |
Потужність | P | <960 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 17.55 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <800 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <53 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <130 мОмId, Vgs = 43A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 8™ |
Заряд затвору | QG | 570 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |