На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT51F50J | APT51M50J | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-227 | |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | |
Потужність | P | <480 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 11.6 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <51 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <75 мОмId, Vgs = 37A, 10V | |
Заряд затвору | QG | 290 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |