APT5024BFLLG

APT5024, APT5024BFLLG, APT5024BLLG, APT5024BVFRG, APT5024BVRG, APT5024SFLLG, APT5024SLLG, APT5024SVFRG, APT5024SVRG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		APT5024BFLLG	APT5024BLLG	APT5024BVFRG	APT5024BVRG	APT5024SFLLG	APT5024SLLG	APT5024SVFRG	APT5024SVRG
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-247	TO-247	TO-247	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	D³Pak (2 leads + tab)	D³Pak (2 leads + tab)	D³Pak (2 leads + tab)
Виробник	Виробник	Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий
Потужність	P	<265 Вт	<265 Вт	<280 Вт	<280 Вт	<265 Вт	<265 Вт	<280 Вт	<280 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	1.9 нФVds = 25V	1.9 нФVds = 25V	4.32 нФVds = 25V	4.32 нФVds = 25V	1.9 нФVds = 25V	1.9 нФVds = 25V	4.32 нФVds = 25V	4.32 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<500 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<22 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<240 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<240 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<240 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<240 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<240 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<240 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<240 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<240 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серія MOSFET	Серія	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS V®	POWER MOS V®
Заряд затвору	Q_G	43 нCVgs = 10V	43 нCVgs = 10V	221 нCVgs = 10V	221 нCVgs = 10V	43 нCVgs = 10V	43 нCVgs = 10V	221 нCVgs = 10V	221 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard