APT5024

APT5024, APT5024BFLLG, APT5024BLLG, APT5024BVFRG, APT5024BVRG, APT5024SFLLG, APT5024SLLG, APT5024SVFRG, APT5024SVRG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрAPT5024BFLLGAPT5024BLLGAPT5024BVFRGAPT5024BVRGAPT5024SFLLGAPT5024SLLGAPT5024SVFRGAPT5024SVRG
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-247TO-247TO-247TO-247D³Pak (2 leads + tab)D³Pak (2 leads + tab)D³Pak (2 leads + tab)D³Pak (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<265 Вт<265 Вт<280 Вт<280 Вт<265 Вт<265 Вт<280 Вт<280 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.9 нФVds = 25V1.9 нФVds = 25V4.32 нФVds = 25V4.32 нФVds = 25V1.9 нФVds = 25V1.9 нФVds = 25V4.32 нФVds = 25V4.32 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<500 В
Постійний струм стоку
IDSS
<22 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<240 мОмId, Vgs = 11A, 10V<240 мОмId, Vgs = 11A, 10V<240 мОмId, Vgs = 500mA, 10V<240 мОмId, Vgs = 500mA, 10V<240 мОмId, Vgs = 11A, 10V<240 мОмId, Vgs = 11A, 10V<240 мОмId, Vgs = 500mA, 10V<240 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серія MOSFET
Серія
POWER MOS 7®POWER MOS 7®POWER MOS V®POWER MOS V®POWER MOS 7®POWER MOS 7®POWER MOS V®POWER MOS V®
Заряд затвору
QG
43 нCVgs = 10V43 нCVgs = 10V221 нCVgs = 10V221 нCVgs = 10V43 нCVgs = 10V43 нCVgs = 10V221 нCVgs = 10V221 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard