APT5014BFLLG

APT5014, APT5014BFLLG, APT5014BLLG, APT5014LVFRG, APT5014LVRG, APT5014SFLLG, APT5014SLLG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрAPT5014BFLLGAPT5014BLLGAPT5014LVFRGAPT5014LVRGAPT5014SFLLGAPT5014SLLG
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-247TO-247TO-264TO-264D³Pak (2 leads + tab)D³Pak (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<403 Вт<403 Вт<450 Вт<450 Вт<403 Вт<403 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
3.261 нФVds = 25V3.261 нФVds = 25V6.72 нФVds = 25V6.72 нФVds = 25V3.261 нФVds = 25V3.261 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<500 В
Постійний струм стоку
IDSS
<35 А<35 А<37 А<37 А<35 А<35 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<140 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V<140 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V<140 мОмId, Vgs = 18.5A, 10V<140 мОмId, Vgs = 500mA, 10V<140 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V<140 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V
Серія MOSFET
Серія
POWER MOS 7®POWER MOS 7®POWER MOS V®POWER MOS V®POWER MOS 7®POWER MOS 7®
Заряд затвору
QG
72 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V350 нCVgs = 10V350 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard