На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT5014BFLLG | APT5014BLLG | APT5014LVFRG | APT5014LVRG | APT5014SFLLG | APT5014SLLG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247 | TO-247 | TO-264 | TO-264 | D³Pak (2 leads + tab) | D³Pak (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <403 Вт | <403 Вт | <450 Вт | <450 Вт | <403 Вт | <403 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.261 нФVds = 25V | 3.261 нФVds = 25V | 6.72 нФVds = 25V | 6.72 нФVds = 25V | 3.261 нФVds = 25V | 3.261 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <35 А | <35 А | <37 А | <37 А | <35 А | <35 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <140 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 18.5A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <140 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® |
Заряд затвору | QG | 72 нCVgs = 10V | 72 нCVgs = 10V | 350 нCVgs = 10V | 350 нCVgs = 10V | 72 нCVgs = 10V | 72 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||