На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT48M80B2 | APT48M80L | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <1.135 кВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 9.33 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <800 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <48 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <200 мОмId, Vgs = 24A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 8™ | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 305 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |