На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT41F100J | APT41M80B2 | APT41M80L | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-227 | T-MAX | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | Крізь отвір | Крізь отвір |
Потужність | P | <960 Вт | <1.04 кВт | <1.04 кВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 18.5 нФVds = 25V | 8.07 нФVds = 25V | 8.07 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | (не задано) | <800 В | <800 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <41 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <210 мОмId, Vgs = 33A, 10V | <240 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <240 мОмId, Vgs = 20A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ |
Заряд затвору | QG | 570 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||