APT40M70B2VFRG

APT40, APT40M35JVFR, APT40M70B2VFRG, APT40M70JVFR, APT40M70LVFRG, APT40N60B2CFG, APT40N60JCU2, APT40N60JCU3

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		APT40M35JVFR	APT40M70B2VFRG	APT40M70JVFR	APT40M70LVFRG	APT40N60B2CFG	APT40N60JCU2	APT40N60JCU3
Корпус мікросхеми	Корпус	SOT-227	T-MAX	SOT-227	TO-264	T-MAX	SOT-227	SOT-227
Виробник	Виробник	Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	На шасі/провід	Крізь отвір	На шасі/провід	Крізь отвір	Крізь отвір	На шасі/провід	На шасі/провід
Потужність	P	<700 Вт	<520 Вт	<450 Вт	<520 Вт	<417 Вт	<290 Вт	<290 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	20.16 нФVds = 25V	8.89 нФVds = 25V	8.89 нФVds = 25V	8.89 нФVds = 25V	5.04 нФVds = 25V	7.015 нФVds = 25V	7.015 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<400 В	<400 В	<400 В	<400 В	<600 В	<600 В	<600 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<93 А	<57 А	<53 А	<57 А	<40 А	<40 А	<40 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<35 мОмId, Vgs = 46.5A, 10V	<70 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<70 мОмId, Vgs = 26.5A, 10V	<70 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<110 мОмId, Vgs = 20A, 10V	<70 мОмId, Vgs = 20A, 10V	<70 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Серія MOSFET	Серія	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	CoolMOS™	(не задано)	(не задано)
Заряд затвору	Q_G	1.065 мкCVgs = 10V	495 нCVgs = 10V	495 нCVgs = 10V	495 нCVgs = 10V	185 нCVgs = 10V	259 нCVgs = 10V	259 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard