На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT38F80B2 | APT38F80L | APT38M50J | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | TO-264 | SOT-227 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | На шасі/провід |
Потужність | P | <1.04 кВт | <1.04 кВт | <357 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 8.07 нФVds = 25V | 8.07 нФVds = 25V | 8.8 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <800 В | <800 В | <500 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <41 А | <41 А | <38 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <280 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <280 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 28A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ |
Заряд затвору | QG | 260 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V | 220 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||