На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT37F50B | APT37M100B2 | APT37M100L | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247 | T-MAX | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <520 Вт | <1.135 кВт | <1.135 кВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.71 нФVds = 25V | 9.835 нФVds = 25V | 9.835 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | (не задано) | (не задано) |
Постійний струм стоку | IDSS | <37 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <150 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <330 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <330 мОмId, Vgs = 18A, 10V |
Заряд затвору | QG | 145 нCVgs = 10V | 305 нCVgs = 10V | 305 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||