На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT34F100B2 | APT34F100L | APT34F60B | APT34F60BG | APT34M120J | APT34M60B | APT34N80B2C3G | APT34N80LC3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | TO-264 | TO-247 | TO-247 | SOT-227 | TO-247 | T-MAX | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | На шасі/провід | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір |
Потужність | P | <1.135 кВт | <1.135 кВт | <624 Вт | <624 Вт | <960 Вт | <624 Вт | <417 Вт | <417 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 9.835 нФVds = 25V | 9.835 нФVds = 25V | 6.64 нФVds = 25V | 6.64 нФVds = 25V | 18.2 нФVds = 25V | 6.64 нФVds = 25V | 4.51 нФVds = 25V | 4.51 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | (не задано) | (не задано) | <600 В | <600 В | (не задано) | <600 В | <800 В | <800 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <34 А | |||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <400 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <400 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 17A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 17A, 10V | <300 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 17A, 10V | <145 мОмId, Vgs = 22A, 10V | <145 мОмId, Vgs = 22A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 8™ | (не задано) | (не задано) | POWER MOS 8™ | (не задано) | POWER MOS 8™ | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 305 нCVgs = 10V | 305 нCVgs = 10V | 165 нCVgs = 10V | 165 нCVgs = 10V | 560 нCVgs = 10V | 165 нCVgs = 10V | 355 нCVgs = 10V | 355 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||||