На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT32F120J | APT32M80J | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-227 | |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | |
Потужність | P | <960 Вт | (не задано) |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 18.2 нФVds = 25V | (не задано) |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | (не задано) | <800 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <32 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <350 мОмId, Vgs = 25A, 10V | (не задано) |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 8™ | |
Заряд затвору | QG | 560 нCVgs = 10V | (не задано) |
FET Feature | FET Feature | Standard | |