На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT31M100B2 | APT31M100L | APT31N60BCSG | APT31N80JC3 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | TO-264 | TO-247 | SOT-227 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | На шасі/провід |
Потужність | P | <1.04 кВт | <1.04 кВт | <255 Вт | <833 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 8.5 нФVds = 25V | 8.5 нФVds = 25V | 3.055 нФVds = 25V | 4.51 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | (не задано) | (не задано) | <600 В | <800 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <31 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <400 мОмId, Vgs = 16A, 10V | <400 мОмId, Vgs = 16A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <145 мОмId, Vgs = 22A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ |
Заряд затвору | QG | 260 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V | 85 нCVgs = 10V | 355 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||