На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT29F100B2 | APT29F100L | APT29F80J | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | TO-264 | SOT-227 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | На шасі/провід |
Потужність | P | <1.04 кВт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 8.5 нФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | (не задано) | (не задано) | <800 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <29 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <460 мОмId, Vgs = 16A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 8™ | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 260 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||