На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT28F60B | APT28M120B2 | APT28M120L | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247 | T-MAX | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <520 Вт | <1.135 кВт | <1.135 кВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.575 нФVds = 25V | 9.67 нФVds = 25V | 9.67 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | (не задано) | (не задано) |
Постійний струм стоку | IDSS | <28 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <250 мОмId, Vgs = 14A, 10V | <560 мОмId, Vgs = 14A, 10V | <560 мОмId, Vgs = 14A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | POWER MOS 8™ |
Заряд затвору | QG | 140 нCVgs = 10V | 300 нCVgs = 10V | 300 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||