На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT25M100J | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-227 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід |
Потужність | P | <545 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 9.835 нФVds = 25V |
Постійний струм стоку | IDSS | <25 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <330 мОмId, Vgs = 18A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 8™ |
Заряд затвору | QG | 305 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |