На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT24F50B | APT24M120B2 | APT24M120L | APT24M80B | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247 | T-MAX | TO-264 | TO-247 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <335 Вт | <1.04 кВт | <1.04 кВт | <625 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.63 нФVds = 25V | 8.37 нФVds = 25V | 8.37 нФVds = 25V | 4.595 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | (не задано) | (не задано) | <800 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <24 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <240 мОмId, Vgs = 11A, 10V | <680 мОмId, Vgs = 12A, 10V | <680 мОмId, Vgs = 12A, 10V | <430 мОмId, Vgs = 12A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 8™ | |||
Заряд затвору | QG | 90 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V | 150 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||