На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT22F100J | APT22F120B2 | APT22F120L | APT22F80B | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-227 | T-MAX | TO-264 | TO-247 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір |
Потужність | P | <545 Вт | <1.04 кВт | <1.04 кВт | <625 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 9.835 нФVds = 25V | 8.37 нФVds = 25V | 8.37 нФVds = 25V | 4.595 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <800 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <22 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <400 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 12A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 12A, 10V | <500 мОмId, Vgs = 12A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 305 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V | 150 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||