На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT18F60B | APT18M100B | APT18M80B | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247 | ||
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <335 Вт | <625 Вт | <500 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.55 нФVds = 25V | 4.845 нФVds = 25V | 3.76 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | (не задано) | <800 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <18 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <390 мОмId, Vgs = 9A, 10V | <700 мОмId, Vgs = 9A, 10V | <560 мОмId, Vgs = 9A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | POWER MOS 8™ |
Заряд затвору | QG | 90 нCVgs = 10V | 150 нCVgs = 10V | 120 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||