На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT14F100B | APT14M100B | APT14M120B | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247 | ||
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <500 Вт | <500 Вт | <625 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.965 нФVds = 25V | 3.965 нФVds = 25V | 4.765 нФVds = 25V |
Постійний струм стоку | IDSS | <14 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | (не задано) | <900 мОмId, Vgs = 7A, 10V | <1.2 ОмId, Vgs = 7A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 120 нCVgs = 10V | 120 нCVgs = 10V | 145 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||