На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT12080B2VFRG | APT12080JVFR | APT12080LVFRG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | SOT-227 | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | На шасі/провід | Крізь отвір |
Потужність | P | <520 Вт | <450 Вт | <520 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 7.8 нФVds = 25V | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <16 А | <15 А | <16 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <800 мОмId, Vgs = 8A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 8A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS V® | ||
Заряд затвору | QG | 485 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Standard |