APT1201R2SFLLG

APT1201, APT1201R2BFLLG, APT1201R2SFLLG, APT1201R4BFLLG, APT1201R4SFLLG, APT1201R5BVFRG, APT1201R5SVFRG, APT1201R6BVFRG, APT1201R6SVFRG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		APT1201R2BFLLG	APT1201R2SFLLG	APT1201R4BFLLG	APT1201R4SFLLG	APT1201R5BVFRG	APT1201R5SVFRG	APT1201R6BVFRG	APT1201R6SVFRG
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)
Виробник	Виробник	Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий
Потужність	P	<403 Вт	<403 Вт	<300 Вт	<300 Вт	<370 Вт	<370 Вт	<280 Вт	<280 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	2.54 нФVds = 25V	2.54 нФVds = 25V	2.5 нФVds = 25V	2.5 нФVds = 25V	4.44 нФVds = 25V	4.44 нФVds = 25V	3.66 нФVds = 25V	3.66 нФVds = 25V
Постійний струм стоку	I_DSS	<12 А	<12 А	<9 А	<9 А	<10 А	<10 А	<8 А	<8 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<1.2 ОмId, Vgs = 6A, 10V	<1.2 ОмId, Vgs = 6A, 10V	<1.4 ОмId, Vgs = 4.5A, 10V	<1.4 ОмId, Vgs = 4.5A, 10V	<1.5 ОмId, Vgs = 5A, 10V	<1.5 ОмId, Vgs = 5A, 10V	<1.6 ОмId, Vgs = 4A, 10V	<1.6 ОмId, Vgs = 4A, 10V
Серія MOSFET	Серія	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®
Заряд затвору	Q_G	100 нCVgs = 10V	100 нCVgs = 10V	120 нCVgs = 10V	120 нCVgs = 10V	285 нCVgs = 10V	285 нCVgs = 10V	230 нCVgs = 10V	230 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard