APT10M07JVFR

APT10, APT10M07JVFR, APT10M09B2VFRG, APT10M09LVFRG, APT10M11B2VFRG, APT10M11JVFR, APT10M11JVRU2, APT10M11JVRU3, APT10M11LVFRG, APT10M19BVFRG, APT10M19BVRG, APT10M19SVFRG, APT10M19SVRG, APT10M25BVFRG, APT10M25BVRG, APT10M25SVFRG, APT10M25SVRG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		APT10M07JVFR	APT10M09B2VFRG	APT10M09LVFRG	APT10M11B2VFRG	APT10M11JVFR	APT10M11JVRU2	APT10M11JVRU3	APT10M11LVFRG	APT10M19BVFRG	APT10M19BVRG	APT10M19SVFRG	APT10M19SVRG	APT10M25BVFRG	APT10M25BVRG	APT10M25SVFRG	APT10M25SVRG
Корпус мікросхеми	Корпус	SOT-227	T-MAX	TO-264	T-MAX	SOT-227	SOT-227	SOT-227	TO-264	TO-247	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	D³Pak (2 leads + tab)	TO-247	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	D³Pak (2 leads + tab)
Виробник	Виробник	Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	На шасі/провід	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	На шасі/провід	На шасі/провід	На шасі/провід	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий
Потужність	P	<700 Вт	<625 Вт	<625 Вт	<520 Вт	<450 Вт	<450 Вт	<450 Вт	<520 Вт	<370 Вт	<370 Вт	<370 Вт	<370 Вт	<300 Вт	<300 Вт	<300 Вт	<300 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	21.6 нФVds = 25V	9.875 нФVds = 25V	9.875 нФVds = 25V	10.3 нФVds = 25V	10.38 нФVds = 25V	8.6 нФVds = 25V	8.6 нФVds = 25V	10.3 нФVds = 25V	6.12 нФVds = 25V	6.12 нФVds = 25V	6.12 нФVds = 25V	6.12 нФVds = 25V	5.16 нФVds = 25V	5.16 нФVds = 25V	5.16 нФVds = 25V	5.16 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<100 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<225 А	<100 А	<100 А	<100 А	<144 А	<142 А	<142 А	<100 А	<75 А	<75 А	<75 А	<75 А	<75 А	<75 А	<75 А	<75 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<7 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<9 мОмId, Vgs = 50A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 50A, 10V	<11 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<11 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<11 мОмId, Vgs = 71A, 10V	<11 мОмId, Vgs = 71A, 10V	<11 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<19 мОмId, Vgs = 37.5A, 10V	<19 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<19 мОмId, Vgs = 37.5A, 10V	<19 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<25 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<25 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<25 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<25 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серія MOSFET	Серія	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	(не задано)	(не задано)	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	(не задано)	POWER MOS V®
Заряд затвору	Q_G	1.05 мкCVgs = 10V	350 нCVgs = 10V	350 нCVgs = 10V	450 нCVgs = 10V	450 нCVgs = 10V	300 нCVgs = 10V	300 нCVgs = 10V	450 нCVgs = 10V	300 нCVgs = 10V	300 нCVgs = 10V	300 нCVgs = 10V	300 нCVgs = 10V	225 нCVgs = 10V	225 нCVgs = 10V	225 нCVgs = 10V	225 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard