На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT10045B2FLLG | APT10045B2LLG | APT10045JFLL | APT10045JLL | APT10045LFLLG | APT10045LLLG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | T-MAX | SOT-227 | SOT-227 | TO-264 | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | На шасі/провід | На шасі/провід | Крізь отвір | Крізь отвір |
Потужність | P | <565 Вт | <565 Вт | <460 Вт | <460 Вт | <565 Вт | <565 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.35 нФVds = 25V | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <23 А | <23 А | <21 А | <21 А | <23 А | <23 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <450 мОмId, Vgs = 11.5A, 10V | |||||
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS 7® | |||||
Заряд затвору | QG | 154 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||