На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT10040B2VFRG | APT10040B2VRG | APT10040LVFRG | APT10040LVRG | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | T-MAX | TO-264 | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <625 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 9.4 нФVds = 25V | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <25 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <400 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | POWER MOS V® | |||
Заряд затвору | QG | 630 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||