APT1001R6BFLLG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		APT1001R6BFLLG	APT1001R6SFLLG	APT1001RBVFRG	APT1001RBVRG	APT1001RSVFRG	APT1001RSVRG
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	TO-247	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	D³Pak (2 leads + tab)
Виробник	Виробник	Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір	Поверхневий	Крізь отвір	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий
Потужність	P	<266 Вт	<266 Вт	<278 Вт	<280 Вт	<278 Вт	<280 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	1.32 нФVds = 25V	1.32 нФVds = 25V	3.05 нФVds = 25V	3.66 нФVds = 25V	3.05 нФVds = 25V	3.66 нФVds = 25V
Постійний струм стоку	I_DSS	<8 А	<8 А	<11 А	<11 А	<11 А	<11 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<1.6 ОмId, Vgs = 4A, 10V	<1.6 ОмId, Vgs = 4A, 10V	<1 ОмId, Vgs = 5.5A, 10V	<1 ОмId, Vgs = 500mA, 10V	<1 ОмId, Vgs = 5.5A, 10V	<1 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серія MOSFET	Серія	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®
Заряд затвору	Q_G	55 нCVgs = 10V	55 нCVgs = 10V	150 нCVgs = 10V	225 нCVgs = 10V	150 нCVgs = 10V	225 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Logic Level Gate