На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APL602B2G | APL602J | APL602LG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | SOT-227 | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | На шасі/провід | Крізь отвір |
Потужність | P | <730 Вт | <565 Вт | <730 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 9 нФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <49 А | <43 А | <49 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <125 мОмId, Vgs = 24.5A, 12V | <125 мОмId, Vgs = 21.5A, 12V | <125 мОмId, Vgs = 24.5A, 12V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||