На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APL502B2G | APL502J | APL502LG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | SOT-227 | TO-264 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | На шасі/провід | Крізь отвір |
Потужність | P | <730 Вт | <568 Вт | <730 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 9 нФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <58 А | <52 А | <58 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <90 мОмId, Vgs = 29A, 12V | <90 мОмId, Vgs = 26A, 12V | <90 мОмId, Vgs = 29A, 12V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||