На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SK536-TB-E | |
|---|---|---|
Виробник | Виробник | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <200 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 15 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <50 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <100 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <20 ОмId, Vgs = 10mA, 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |