2SK3863(TE16L1,Q)

2SK3863, 2SK3863(TE16L1,Q)

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2SK3863(TE16L1,Q)
Виробник
Виробник
Toshiba
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<40 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
550 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<500 В
Постійний струм стоку
IDSS
<5 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<1.5 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V
Заряд затвору
QG
16 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard