На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SK3117 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 2-16H1B |
Виробник | Виробник | Toshiba |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <150 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.72 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <20 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <270 мОмId, Vgs = 10A, 10V |
Заряд затвору | QG | 80 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |