На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SK2991(Q) | 2SK2991(SM,Q) | 2SK2991(TE24L) | 2SK2991(TE24L,Q) | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 2-10S1B | 2-10S1B | TO-220FL | TO-220FL |
Виробник | Виробник | Toshiba | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <50 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 780 пФVds = 10V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <5 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.5 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V | |||
Заряд затвору | QG | 17 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||