На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SK2777(Q) | 2SK2777(SM,Q) | 2SK2777(TE24L) | 2SK2777(TE24L,Q) | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 2-10S1B | 2-10S1B | TO-220FL | 2-10S2B |
Виробник | Виробник | Toshiba | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий |
Потужність | P | <65 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.3 нФVds = 10V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <6 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.25 ОмId, Vgs = 3A, 10V | |||
Заряд затвору | QG | 30 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||