На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SK2376(Q) | 2SK2376(TE24L) | 2SK2376(TE24L,Q) | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 2-10S1B | TO-220FL | TO-220FL |
Виробник | Виробник | Toshiba | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <100 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.35 нФVds = 10V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <45 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <17 мОмId, Vgs = 25A, 10V | ||
Заряд затвору | QG | 110 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||