На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SK2231(Q) | 2SK2231(TE16L1,NQ) | 2SK2231(TE16R) | 2SK2231(TE16R1,NQ) | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 2-7B1B, 2-7B1B | 2-7B1B, 2-7J1B | 2-7B1B, 2-7J1B | 2-7B1B, 2-7J1B |
Виробник | Виробник | Toshiba | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <20 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 370 пФVds = 10V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <5 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <160 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V | |||
Заряд затвору | QG | 12 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||